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连接到所有设备的阵列中，并且连接到
该读线从系统控制总线。这AS-
措施才是所有选择的存储设备都在其
低功耗待机模式，而输出引脚
只有有源当数据从一个特定的MEM所需
ORY设备。
系统应用
在工作和待机条件之间的切换
系统蒸发散，瞬间峰值电流产生的利培
荷兰国际集团和芯片的下降沿启动。的幅度
这些瞬态电流峰值取决于输出
放设备的电容负载。至少，一个
0.1 μF陶瓷电容（高频，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
V
CC
和V
SS
尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
印刷电路板线迹上的EPROM AR-影响
线，应采用一个4.7 μF的大容量电解电容
V之间
CC
和V
SS
每个8设备。在某些地区可能
电容器的灰应靠近那里的
电源被连接到所述阵列。
模式选择表
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
自选
（注3）
制造商代码
器件代码
CE＃
V
IL
X
V
IH
V
CC
±
0.3 V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
H
V
H
V
PP
X
X
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
01h
10h
注意事项：
1. V
H
= 12.0 V
±
0.5 V.
2. X =要么V
IH
或V
IL
.
3， A1 - A8和A10-14 = V
IL
4.请参阅DC编程特性V
PP
在编程过程中的电压。
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Am27C256
