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DC特性
CMOS兼容
参数
I
LI
I
点亮
I
LO
描述
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读操作工作电流
（注1,2 ）
V
CC
主动写电流
（注2，3， 4）
V
CC
待机电流（注2 ）
V
CC
复位电流（注2 ）
自动休眠模式
（注2,5）
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
（注4 ）
V
CC
= 3.3 V
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
0.85 V
CC
V
CC
–0.4
2.3
2.5
V
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
5兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH
1兆赫
9
2
15
0.2
0.2
0.2
–0.5
0.7× V
CC
11.5
民
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
16
mA
4
30
5
5
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
单位
A
A
A
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±0.3
V
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
V
IH
= V
CC
± 0.3 V;
V
IL
= V
SS
±
0.3 V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
。典型规格是V
CC
= 3.0 V.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.未经100％测试。
5.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
Am29LV116D
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