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修订概要
版本A（ 1997年10月）
首次发布。
版本C + 3 （ 1998年8月）
全球
加入70R速度选项，改变80R速度选项
80 。
特色鲜明
更改的工艺技术0.32微米。
表9 ，命令定义
CFI查询命令现在包含在表中。
DC特性
移动V
CC
最大测试条件我
CC
规格
注。
图21 ，部门保护/撤消时序
图
改变的时序规范图匹配
那些在系统部门保护/外部器件了的身影
TECT算法。
版本B（ 1997年10月）
全球
删除SO封装的数据表。
版本C（ 1997年12月）
备用CE ＃控制的擦除/编程
操作
改变的吨
CP
从45到35 ns的80R和90速
选项。
版本C + 1 （ 1998年1月）
全球
更改后的数据表状态初步。
复位命令
删除在本节的最后一段。
版本D （ 1999年1月）
特色鲜明
补充说，“ 20年的数据保存在125°C ”子弹。
版本C + 2 （ 1998年3月）
图2 ，在系统部门保护/撤消
算法（ 0.35微米器件）
该部门保护算法，增加了一个“复位
PLSCNT = 1保护其他节“的路径，从盒子”
TOR ？ “回到设定的下一个扇区地址。
AC特性
版本E （ 2000年2月2日）
全球
的工艺技术已变为0.23微米，并
由“D ”后缀表示的部件号。 70
ns的速度选项，现在在整个电压范围内提供
代替调节的电压范围。 70纳秒
设备也现在在工业temper-可用
ATURE范围。在扩展级温度范围不
不再可用。在80纳秒的速度选项已
删除。所有其他参数和功能保持
不变。
交流特性 - 图15.计划
操作时序图16.芯片/扇区
擦除操作
删除吨
GHWL
并改变OE ＃波形开始
高。
物理尺寸
换成数字更详细的说明。
擦除/编程操作;备用CE＃控制
擦除/编程操作：
更正的说明为参考
ENCE在t
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参数是
100 ％测试。纠正T的注释引用
VCS
.
这个参数不是100 ％测试。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 ％测试。
图21 ，部门保护/撤消时序
图
不需要在第一写周期的有效地址;
只有数据为60h 。
擦除和编程性能
注2 ，在最坏的情况下续航能力，现在百万
周期。
版本E + 1 （ 2000年11月7日）
全球
补充目录。删除老化选项
订购信息部分。
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Am29LV116D
