MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
A)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
CT
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
IR
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
NF
MMBD110T1
VF
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
20
13
9.0
250
200
200
dB
—
—
—
0.88
0.9
0.5
1.0
1.5
1.0
NADC
符号
V（ BR ）R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
pF
民
典型值
最大
单位
伏
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
（ VR = 15伏， F = 1.0兆赫）
（ VR = 20伏， F = 1.0 MHZ ）
反向漏
（ VR = 3.0V）
（ VR = 25 V ）
（ VR = 35 V ）
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
