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电子设备组
三菱
修订版1.03
3D -RAM （ M5M410092B ）
或脏的标签
或脏的TAG （位PADDR [ 6 ] ） {
位I [ 5 ] ;
对于（ i = 0 ;我< 32 ; i ++在）
如果（ BE [我[ 4..3 ] && DQ [I ] ）
如果（我== PADDR [2..0] + 8 * I [ 4..3 ] ）
DT [ PADDR [ 5..3 ]] [ i]于<- DQ [ i]于;
}
写平面屏蔽寄存器
写平面屏蔽寄存器（ ） {
位I [ 5 ] ;
对于（ i = 0 ;我< 32 ; i ++在）
if(BE[i[4..3]])
PM [I ] <- DQ [我] ;
}
165
11
运营正式特定网络阳离子
