NPN硅平面中功率
达林顿晶体管
第2期 - 六月94
特点
* 160伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* 5K的增益，在我
C
= 1安培
* P
合计
= 1瓦
ZTX600
ZTX601
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
ZTX600
160
140
10
4
1
1
5.7
电子线
TO92兼容
ZTX601
180
160
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
工作和存储温度范围
-55到+200
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
160
140
10
0.01
10
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.75
0.85
1.7
1.5
0.1
10
1.1
1.2
1.9
1.7
3-206
0.75
0.85
1.7
1.5
ZTX600
MIN 。 TYP 。
集电极 - 基
V
（ BR ） CBO
击穿电压
集电极 - 发射极
V
（ BR ） CEO
击穿电压
发射极 - 基
V
（ BR ） EBO
击穿电压
集电极截止
当前
I
CBO
180
160
10
ZTX601
MAX 。 MIN 。 TYP 。
马克斯。
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
单位条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=140V
V
CB
=160V
V
CB
=140V,
T
=
=100°C
V
CB
=160V,
T
=
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=140V
V
CES
=160V
I
C
= 0.5A ，我
B
=5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
IC = 1A ，V
CE
=5V*
0.01
10
0.1
发射极截止
当前
Colllector发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
10
1.1
1.2
1.9
1.7
V
V
V
V
