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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PSMN015-100B ， PSMN015-100P
漏极电流ID （ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
栅 - 源电压，V GS （V）的
175 C
TJ = 25℃
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;参数T
j
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
70
TJ = 25℃
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
漏极电流ID （ A）
175 C
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
80
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
1.0E-02
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
; T
j
= 25 C
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.100
