Si7846DP
Vishay Siliconix公司
N沟道150 -V （D -S ）的MOSFET
特点
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
D
PWM优化的快速切换
D
100% R
g
经过测试
产品概述
V
DS
(V)
150
r
DS （ ON）
(W)
0.050 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
6.7
应用
D
初级侧开关，用于高密度DC / DC
D
电信/服务器48 V DC / DC
D
工业和42 -V汽车
采用PowerPAK SO- 8
D
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
5.15 mm
G
S
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7846DP -T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
Avalanch电流
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
150
"20
6.7
5.4
50
25
4.3
5.2
3.3
稳定状态
单位
V
4.0
3.3
A
1.6
1.9
1.2
- 55 150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71442
S- 31728 -REV 。 B， 18 - 8 - 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
19
52
1.5
最大
24
65
1.8
单位
° C / W
C / W
1
