HI5800
电气连接特定的阳离子
AV
CC
= + 5V ， DV
CC
= + 5V ， AV
EE
= -5V ， DV
EE
= -5V ;内部参考使用，
除非另有规定编
（续）
HI5800JCD
0
o
C至70
o
C
参数
孔径抖动，T
AJ
模拟量输入
输入电压范围
输入阻抗
输入电容
输入电流
输入带宽
内部参考电压
基准电压输出，
REF
OUT
（加载）
参考输出电流
参考温度
系数
参考输入
基准电压输入范围
参考输入电阻
数字输入
输入逻辑高电压，V
IH
输入逻辑低电压，V
IL
输入逻辑电流，I
IL
数字输入电容，C
IN
数字输出
输出逻辑高电压，V
OH
输出逻辑低电压，V
OL
输出逻辑高电平电流，I
OH
输出逻辑低电平电流，I
OL
输出三态漏
目前，我
OZ
数字输出电容，C
OUT
时序特性
最低CONV脉冲，T
1
CS到CONV设置时间，t
2
CONV以CS设置时间，t
3
OE最短脉冲，T
4
CS到OE设置时间，t
5
OE到CS设置时间，t
6
IRQ延迟从开始转换，T
7
IRQ脉冲宽度，T
8
为最小周期时间
转换，T
9
IRQ到数据有效延迟，T
10
最低A0脉冲，T
11
（注3）
（注3,5）
（注3,4）
（注3）
（注3）
（注3,5）
（注3）
（注3）
（注3）
JCD ， KCD
BID
10
10
0
15
0
0
10
190
-
-
-5
10
-
-
-
-
-
-
20
200
-
325
0
-
-
-
-
-
-
-
25
230
-
333
+5
-
10
10
0
15
0
0
10
190
180
-
-5
10
-
-
-
-
-
-
20
200
195
325
0
-
-
-
-
-
-
-
25
230
230
333
+5
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
OUT
= 0V, 5V
I
OUT
= -160A
I
OUT
= 3.2毫安
2.4
-
-0.160
3.2
-
-
4.3
0.22
-6
6
±1
10
-
0.4
-
-
±10
-
2.4
-
-0.160
3.2
-
-
4.3
0.22
-6
6
±1
10
-
0.4
-
-
±10
-
V
V
mA
mA
A
pF
V
IN
= 0V, 5V
V
IN
= 0V
（注6 ）
2.0
-
-
-
-
-
±1
5
-
0.8
±10
-
2.0
-
-
-
-
-
±1
5
-
0.8
±10
-
V
V
A
pF
-
-
2.5
200
2.6
-
-
-
2.5
200
2.6
-
V
（注5 ）
2.450
2
-
2.500
-
20
2.550
-
-
2.470
2
-
2.500
-
13
2.530
-
-
V
mA
PPM /
o
C
-
1
-
-
-
±2.5
3
5
±1
20
±2.7
-
-
±10
-
-
1
-
-
-
±2.5
3
5
±1
20
±2.7
-
-
±10
-
V
M
pF
A
兆赫
测试条件
（注3）
民
-
典型值
10
最大
20
民
-
HI5800KCD ， HI5800BID
0
o
C至70
o
C
-40
o
C至85
o
C
典型值
10
最大
20
单位
ps
4
