Si5435DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.16
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
1200
0.12
V
GS
= 10 V
0.08
V
GS
= 4.5 V
0.04
- 电容（pF ）
C
国际空间站
电容
900
600
300
C
RSS
C
OSS
0.00
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 4.1 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.1 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
（归一化）
8
12
16
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.16
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.12
I
D
= 4.1 A
0.08
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71144
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
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