Si4820DY
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.0135 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
10
8
D D
D D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4820DY
Si4820DY -T1 （带编带和卷轴）
8
7
6
5
D
D
D
D
N沟道MOSFET
G
S
S S
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
10
8
50
2.3
2.5
1.6
- 55 150
单位
V
A
W
_C
工作结温和存储温度范围（ MOSFET和肖特基）
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
结到环境
t
v
10秒
稳定状态
R
thJA
70
符号
典型
最大
50
单位
° C / W
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 70806
S- 03950 -REV 。女， 26日， 03
www.vishay.com
2-1
