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Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
N沟道
0.08
0.07
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
I
D
= 3.3 A
I
D
= 9.1 A
T
J
= 25_C
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
功率（W）的
80
70
60
50
40
30
20
0.4
10
0.6
50
0
0.001
单脉冲功率
0.0
0.2
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
文档编号： 72281
S- 41428 -REV 。 B， 26 -JUL- 04
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