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Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
800
700
C
电容（pF）
0.16
V
GS
= 2.5 V
0.12
600
500
400
300
200
100
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
P沟道
电容
0.08
V
GS
= 4.5 V
0.04
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.3 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.3 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
0.16
0.12
I
D
= 1 A
0.08
I
D
= 5.3 A
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
6
文档编号： 72281
S- 41428 -REV 。 B， 26 -JUL- 04
