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Si4418DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1600
1400
C
电容（pF）
0.16
V
GS
= 6.0 V
0.12
V
GS
= 10 V
0.08
1200
1000
800
600
400
200
0.00
0
2
4
6
8
10
12
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.04
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 100 V
I
D
= 3 A
8
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
2.0
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
8
12
16
20
1.5
4
1.0
2
0.5
0
0
4
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 3 A
0.12
0.08
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72513
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
3
