HI3338
绝对最大额定值
直流电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 8V
(V
DD
- V
SS
或V
DD
- V
EE
，以较高者为准）
输入电压范围
数字输入（ LE ， COMP D0 - D7 ） 。 。 。 。 V
SS
- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
模拟引脚（V
REF
+, V
REF
-, V
OUT
) . . . . V
DD
- 8V至V
DD
+ 0.5V
DC输入电流
数字输入（ LE ， COMP ， D0 - D7 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20mA
推荐的电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至7.5V
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围，T
英镑
. . . . .-65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40
o
C至85
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
准确性
决议
积分非线性误差
微分线性误差
增益误差
偏移误差
数字输入时序
更新率
更新率
成立时间吨
SU1
成立时间吨
SU2
保持时间t
H
锁存脉冲宽度t
W
锁存脉冲宽度t
W
T
A
= 25
o
C，V
DD
= 5V, V
REF
+ = 4.608V, V
SS
= V
EE
= V
REF
- = GND ， LE主频为20MHz ，R
L
≥
1M,
除非另有规定编
测试条件
民
典型值
最大
单位
8
参见图4
参见图4
输入代码= FF
（十六进制）
见图3
输入码= 00
（十六进制）
见图3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±0.75
±0.5
±0.5
±0.25
位
最低位
最低位
最低位
最低位
维护
1
/
2
LSB沉降
V
REF
- = V
EE
= -2.5V, V
REF
+ = +2.5V
对于低干扰
对于数据存储
对于数据存储
对于数据存储
V
REF
- = V
EE
= -2.5V, V
REF
+ = +2.5V
DC
DC
-
-
-
-
-
50
20
-2
8
5
5
25
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
输出参数
R
L
调整为1V
P-P
产量
输出延时T
D1
输出延时T
D2
上升时间t
r
沉降时间t
S
输出阻抗
毛刺面积
毛刺面积
参考电压
V
REF
+范围
V
REF
- 范围
（ + ）满量程（注1 ）
（ - ）全量程（注1 ）
V
REF
- + 3
V
EE
-
-
V
DD
V
REF
+ - 3
V
V
V
REF
- = V
EE
= -2.5V, V
REF
+ = +2.5V
从LE边缘
从数据变化
10 ％90 ％的产量
10％稳定到
1
/
2
最低位
V
REF
+ = 6V, V
DD
= 6V
-
-
-
-
120
-
-
25
22
4
20
160
150
250
-
-
-
-
200
-
-
ns
ns
ns
ns
的pV -S
的pV -S
10-1466
