HI3338
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
V
SS
D0
V
EE
V
REF
-
V
OUT
V
REF
+
COMP
LE
V
DD
数字地。
最低有效位。输入数据位。
模拟地。
参考电压的负输入。
模拟输出。
参考电压正输入。
数据补控制输入。高电平有效。
锁存使能输入。低电平有效。
数字电源， + 5V 。
描述
最显着的位。
输入
数据
位
（高= TRUE）
非超频操作或更改数据，而LE是低的
不推荐用于要求低输出应用
“毛刺”能量：有没有保证的同时
输入的数据或所有的相等传播延迟的变化
通过转换器的位。若是几个工艺参数给出
该转换器是在这些模式的情况下使用：吨
D2
给出从输入切换到输出的延迟升级变更
荷兰国际集团（10 ％），而吨
SU2
和T
H
给建立和保持时间
（称为LE的上升沿）的需要来锁存数据。看
图1和图2 。
是需要低“毛刺”能源使用主频运行。
数据必须满足给定吨
SU1
成立时间为LE下降
缘，并且吨
H
持有从LE的上升沿时间。该
延迟输出变化，T
D1
，现在称为对LE
下降沿。
没有必要为一个方波LE的时钟; LE只能
满足最小吨
W
脉冲宽度为成功的闩
操作。一般情况下，输出时序（所需的精确度
沉降）设置的可用时钟频率的上限。
输出结构
该锁存器的数据馈送到一个行高电流CMOS驱动器，
这又喂作案网络版R2R梯形网络。
每个驱动器的“N ”频道（下拉）晶体管加
底部“2R”电阻被返回到V
REF
- 这是
（ - ）全面的参考。在“P ”频道（拉）晶体管
每个驱动器返回到V
REF
+中， （+），满量程
参考。
在单极操作，V
REF
- 通常被返回到
模拟地，但在地面上可以得到提升（参见特定Fi的
阳离子） 。有大量的代码依赖电流
从V FL OWS
REF
+到V
REF
- （见V
REF
在+输入电流
特定网络阳离子） ，所以V
REF
- 应具有低阻抗路径
到地面。
在双极性工作，V
REF
- 将被返回到一个负
电压（最高电压等级为V
DD
必须是
观察） 。 V
EE
，供给栅极电位为
输出驱动器，必须返回到一个点至少为阴性
略去为V
REF
- 。注意，最大时钟速度
减小时，双极性模式被使用。
数字信号通路
数字输入（ LE ， COMP和D0 - D7 ）为TTL的
兼容HCT高速CMOS设计：负荷
本质上电容和逻辑阈值典型地是
1.5V.
8个数据位， D0 （加权2
0
）至D7 （加权2
7
),
适用于异或门（参见原理图） 。
在COMP （数据补）控制提供了第二
输入到门：如果COMP为高时，数据位将
倒，因为他们通过。
输入数据和对LE （锁存使能）信号下一个
施加到电平移位器。输入端之间，所述操作
V水平
DD
和V
SS
，移位V之间进行操作
DD
和V
EE
. V
EE
任选地在地面上或在一个负电压，
根据双极运行进行讨论。所有其他逻辑
除了输出驱动因素从V操作
DD
和V
EE
耗材。
数据的高3位，D5至D7 ，被输入到一个3到7
线棒图编码器。通过编码器输出和D0
D4被施加到穿通线锁存器，它是由控制
LE （锁存使能） 。
静态特性
提供了理想的8位D / A将有一个输出等于V
REF
-
与00的输入码
（十六进制）
（零电平输出） ，和一个输出
把等于V的255/256
REF
+ （称为V
REF
- ）与
写入FFh的输入码（满量程输出） 。区别
这两个参数的理想值与实际值之间的
是的偏移和增益误差，分别为;看
网络连接gure 3 。
如果代码转换成一个8位D / A由1计数改变，则
输出应该由1/255 （满量程输出零电平变化
输出）。从这个步长的一个偏差是一个微分线性 -
性的错误，参见图4。注意，错误表现在
理想的步长大小的分数（通常被称为LSB）。还
注意，如果（ - ）微分线性误差是小于（中
锁存操作
数据从输入馈送到输出而LE为低电平：LE应
接低电平非超频操作。
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