ILD621/621GB
四通道
ILQ621/621GB
双通道
多通道光电晶体管
光电耦合器
特点
备用电源，以TLP621-2 / -4和
TLP621GB-2/-4
电流传输比（ CTR）在我
F
= 5毫安
ILD / Q621 ： 50 ％最小。
ILD / Q621GB ： 100 ％最小。
饱和电流传输比（ CTR
SAT
)
在我
F
= 1毫安
ILD / Q621 ： 60 ％典型值。
ILD / Q621GB ： 30 ％最小。
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
=70 V
双核和四包的特点：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
场效应稳定由三重奏（透明
离子盾）
从双塑壳隔离测试电压
包装， 5300 VAC
RMS
美国保险商实验室文件＃ E52744
VDE 0884可通过选项1
最大额定值
（每个通道）
辐射源
反向电压................................................ 0.6 V
正向电流........................................... 60毫安
浪涌电流................................................ .1.5一
功耗....................................... 100毫瓦
25减免
°
................................ 1.33毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极反向电压................... 70 V
集电极电流.......................................... 50毫安
集电极电流（T <1毫秒） ..........................百毫安
功耗....................................... 150毫瓦
25减免
°
.................................... -2毫瓦/
°
C
包
绝缘测试电压
（T = 1秒） ......................................... 7500 VAC
PK
性（t = 1分钟） ....................................... 5300伏
RMS
包装耗散ILD620 / GB ............... 400毫瓦
25减免
°
............................... 5.33毫瓦/
°
C
包装耗散ILQ620 / GB .............. 500毫瓦
25减免
°
............................... 6.67毫瓦/
°
C
爬电............................................... 7毫米分钟。
间隙............................................... 7分钟分钟。
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25
°
C ...............................
≥
10
12
V
IO
= 500 V ，T
A
=100
°
C .............................
≥
10
11
存储温度-55 ...................
°
C至+150
°
C
工作温度................- 55
°
C至+100
°
C
结温.................................... 100
°
C
焊接温度
（2毫米的情况下） .......................... 260
°
C
4°
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.790 (20.07)
.779 (19.77 )
尺寸以英寸（毫米）
4
3
2
1
脚一内径
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阳极
阴极
5
6
7
8
阴极
阳极
1
2
3
4
8
7
6
5
辐射源
集热器
集热器
辐射源
.390 (9.91)
.379 (9.63)
.045 (1.14)
.030 (.76)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
4°
典型值。
.022 (.56)
.018 (.46)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
0.305 （典型值） 。
（ 7.75 ） （典型值） 。
10°
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
.135 (3.43)
.115 (2.92)
.100 (2.54)
典型值。
脚一内径阳极1
阴极2
阴极3
.268 (6.81)
.255 (6.48)
阳极4
阳极5
阴极6
阴极
7
16发射器
15收藏家
14收藏家
13发射器
12发射器
11收藏家
10收藏家
9
0.305 （典型值） 。
（ 7.75 ） （典型值） 。
辐射源
阳极8
.045 (1.14)
.030 (.76)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.040 (1.02)
.030 (.76 )
10°
典型值。
.135 (3.43)
.115 (2.92)
.100 (2.54)
典型值。
3°–9°
.012 (.30)
.008 (.20)
描述
在ILD / Q621和ILD / Q621GB是多通道光电晶体管光耦合器
使用砷化镓IRLED发射器和高增益的NPN硅phototransis- plers
器。这些器件采用了构造/引线框架下的光学
联轴器和双成型保温技术。这个组装过程
提供7500伏直流耐压试验电压。
在ILD / Q621GB非常适合的CMOS的接口连接给定的点击率
CESAT
of
30 ％，最低为我
F
1毫安。高增益的线性运算是由一个保
最低CTR
CE
在5毫安100％。该ILD / Q621已经保证CTR
CE
of
50 ％，最低为5毫安。透明的离子护盾保证稳定的直流增益
在应用中，如电源反馈电路，其中，DC恒定
V
IO
电压存在。
5–1
