HV9100/HV9102/HV9103
技术说明
前置调节器
为HV910x的前置调节器/启动电路由一个高的
电压的n沟道耗尽型DMOS晶体管，由驱动
误差放大器，以形成在V之间的受控电流路径
IN
终端和V
DD
终奌站。最大电流（约20 mA）的
发生在V
DD
= 0时，与电流减少为V
DD
上升。这条道路
关闭干脆当V
DD
上升到介于7.8
和9.4V ，因此，如果V
DD
在10或12V由外部源被保持
比没有电流等（一般的芯片是控制电源）
泄漏是通过高电压晶体管绘制。这种迷你
mizes消散。
V之间的外部电容
DD
和V
SS
通常需要
期间关闭之间的时间间隔来存储所用的码片能量
高电压路径和V的
DD
电源的输出足够的上升
接管芯片的供电。这种电容一般也
作为输出滤波电容器，用于从供给该输出。
1μF通常是足够的，以保证对双起动。
电容器小0.1μF可以工作的时候，从响应速度更快
在V
DD
线是必须的。无论电容选择应
有很好的高频特性。叠聚酯
或陶瓷电容工作。电解电容是gen-
erally不适合的。
一个常见的电阻分压器用于监视V
DD
为
欠压锁定电路和高的关断电路
电压FET 。设置约0.6V的欠压检测点
较低的字符串比FET关断角度保证了
欠压锁定经常发布前的FET关断。
参考
参考由一个稳定的带隙基准后跟
一个缓冲放大器，缩放电压高达约
4.0V 。基准缓冲放大器的比例电阻
在制造过程中修剪，使得错误的输出
在-1配置的连接增益放大器时，是接近
到4.000V越好。此归零出任何错误输入的偏移
放大器。其结果是，即使所观察到的为参考
的特定部分的EnCE的电压可能不完全4V ，则反馈
需要进行适当的调节电压将4V 。
大约50KΩ电阻内部放置的
基准缓冲放大器，将其提供的电路的输出
（参考输出引脚和非反相输入错误
放大器） 。这允许覆盖有低的内部参考
阻抗电压源
≤6V.
使用外部基准
为了恢复该误差放大器的输入偏置电压，并且其
的反馈电压的所需的精确值的效果。大体，
因为Supertex公司HV910x的基准电压不
嘈杂的，因为以前的一些设备已经，覆盖
参考应该很少是必要的。
因为参考是一个高阻抗节点，且通常为
将有接近它显著电噪声，旁路电容
参考引脚和V之间
SS
强烈推荐。该
参考缓冲放大器被有意地补偿，可以
稳定的0.01 0.1μF的电容性负载。
误差放大器器
误差放大器是一个真正的低功耗差分输入操作
tional放大器，用于周边的放大器补偿。
它是混合的CMOS双极构造的：一个PMOS输入级是
使用这样的共模范围包括地与输入
阻抗是非常高的。这之后是双极性的增益级
它提供高增益而不全MOS的电噪声
放大器。该放大器是单位增益稳定。
偏置电路
外部偏置电阻，连接之间的偏置引脚和V
SS
需要设置电流的一系列电流镜所用的
该芯片的模拟部分。额定外部偏置电流要求
精神疾病是15到20μA ，这可以通过一个390kΩ至被设置为510KΩ
如果电阻器的10V V
DD
时，或者如果一个12V一个510KΩ至680KΩ电阻
V
DD
被使用。精密电阻器不是必需的;
±
5 ％的罚款。
对于非常低的功率操作时，偏置电流的值可以
中的值减少到低达5μA通过进一步增加
偏置电阻。这将减少的静态电流通过左右一
第三，减少误差放大器的带宽一半左右，并减缓
电流检测比较器通过大约30％。
电流检测比较器
该HV910x采用了真正的双比较器系统indepen-
凹痕比较器用于调制和电流限制。这使得
设计人员更大的自由度在薪酬设计，因为有
无夹具（除了ESD保护）的补偿引脚。喜欢
误差放大器，比较器的低噪声的BiCMOS
建设。
时钟振荡器
该HV910x的时钟振荡器组成的CMOS的一环
逆变器，定时电容器，电容器放电FET ，并且，在
在50 ％的最大占空比的版本中，一个分频倒装
翻牌。之间的OSC在与OSC出单个外部电阻器
引脚需要设置振荡器频率（参照图4）。对于
50 ％的最大占空比版本的“放”脚为内部
连接到GND 。为99 ％的占空比的版本， “放电”
既可以连接到V
SS
直接地或连接到V
SS
通过用于设置死区时间的电阻器。
在Supertex公司HV910x和的COM之间存在一个区别
petitive部分。该HV910x的振荡器关闭时，
关闭命令被接收。这样可以节省大约quies- 150μA
分电流，这有助于情况降到最低
的静态功耗是必需的。
远程关机
关机和复位引脚可被用来执行任意
闭锁或所需的非锁存器关机。
这些引脚具有内部电流源上拉，使他们能够
从开漏逻辑驱动。当不使用时，它们应该被留
开，或连接到V
DD
.
主开关
主开关是一个正常的N沟道功率MOSFET。与
有竞争力的器件的情况下，体二极管可以用来
如果需要，在不破坏芯片。
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