HIP6003
源的额定电压确定是否逻辑电平
MOSFET是合适的。
图10示出供给上部栅极驱动器（引导销）
从V自举电路
CC
。启动电容C
BOOT
,
开发参考的相位浮动电源电压
引脚。此供应刷新每个循环到V的电压
CC
少开机二极管压降（V
D
）时，肖特基二极管，D2
进行。逻辑电平MOSFET只能当使用
MOSFET的绝对栅极 - 源极电压超过额定值
施加到V的最高电压
CC
.
+12V
D
BOOT
+
VCC
V
D
肖特基选择
整流器器D2导通时，上面的MOSFET管Q1关断。
二极管应该是肖特基型用于低功率损耗。
在肖特基整流器器的功耗为
近似为：
P
COND
= I
O
X V
f
x
(
1 - D
)
式中： D为占空比= V
O
/V
IN
和
V
f
是肖特基正向压降
-
+ 5V或+ 12V
BOOT
HIP6003
UGATE
相
C
BOOT
Q1
注意：
V
摹-S
≈
V
CC
-V
D
D2
+
-
除了功耗，封装选择和
散热器的要求是主要的设计权衡
选择肖特基整流器器。由于三个因素是
相互关联的，在选择的过程是一个反复的过程。
该整流器器必备的最高结温
仍低于制造商的特定网络ED值，通常
125
o
C.通过使用封装热阻
特定网络阳离子和肖特基功率耗散方程
（如上所示） ，所述整流器器的结温度可以
进行估计。请务必使用可用的空气溢流和
环境温度来确定所述结点温度
上升。 HIP6003 DC -DC转换器应用电路。
GND
图10，上栅驱动器 - 自举选项
图11示出了由直接供给上部栅极驱动器
连接到V
CC
。应仅在使用该选项
转炉系统中的主要输入电压为+ 5VDC或
减。峰上的栅极 - 源极电压是约
V
CC
更少的输入电源。对于+ 5V主电源和+ 12VDC
用于偏置， Q1的栅极 - 源极电压为7V 。一个逻辑电
平MOSFET是在这些Q1个不错的选择
条件。
+12V
+ 5V或更低
VCC
BOOT
HIP6003
Q1
UGATE
相
注意：
V
摹-S
≈
V
CC
-5V
D2
-
+
GND
IGURE 11.上栅极驱动器 - 直接V
CC
驱动器选件
10
