82C237
AC电气特定网络阳离子
V
CC
= +5.0V
±10%,
GND = 0V ，T
A
= 0
o
C至+70
o
C (C82C237),
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ I82C237 ）
T
A
= -55
o
C至+ 125
o
C（ M82C237 ）
82C237
符号
DMA （主）模式
(1)TAEL
(2)TAET
(3)TAFAB
(4)TAFC
(5)TAFDB
(6)TAHR
(7)TAHS
(8)TAHW
(9)TAK
AEN HIGH从CLK低（ S1 ）延迟时间
AEN低，从CLK高（ SI ）延迟时间
ADR主动到浮动延迟从CLK高
读或写的浮动延迟从CLK高
DB主动到浮动延迟从CLK高
从读高保持时间ADR
DB从ADSTB LOW保持时间
从写高位保持时间ADR
DACK有效期从CLK低延时
EOP HIGH从CLK高延迟时间
EOP LOW从CLK高延迟时间
(10)TASM
(11)TASS
(12)TCH
(13)TCL
(14)TCY
(15)TDCL
(16)TDCTR
(17)TDCTW
(18)TDQ
(19)TEPH
(20)TEPS
(21)TEPW
(22)TFAAB
(23)TFAC
(24)TFADB
(25)THS
(26)TIDH
(27)TIDS
(28)TODH
(29)TODV
(30)TQS
(31)TRH
(32)TRS
(33)TCLSH
(34)TCLSL
ADR稳定的CLK高
DB到ADSTB LOW建立时间
CLK高电平时间（转换为10ns ）
CLK低电平时间（转换为10ns ）
CLK周期时间
CLK高读取或写入延迟小
读CLK高（ S4 ）延迟时间高
从CLK高（ S4 ）延迟时间写高位
HRQ有效期从CLK高延迟时间
EOP保持时间从CLK低（ S2 ）
EOP低到CLK低建立时间
EOP脉宽
从CLK高ADR有效的延迟
读取或CLK高写入活动
从CLK高DB有效的延迟
HLDA有效到CLK高建立时间
从MEMR高的保持时间输入数据
输入数据MEMR HIGH建立时间
从MEMW高保持时间输出数据
输出数据有效到MEMW高
DREQ到CLK低（ SI ， S4 ）建立时间
CLK为低电平就绪保持时间
准备CLK低建立时间
ADSTB HIGH从CLK低延时
ADSTB LOW从CLK低延时
-
-
-
-
-
TCY-75
TCL-18
TCY-65
-
-
-
-
TCH-20
55
43
125
-
-
-
-
90
25
135
-
-
-
45
0
90
15
TCY-35
0
20
35
-
-
105
80
55
75
135
-
-
-
105
105
60
60
-
-
-
-
130
115
80
75
-
-
-
60
90
60
-
-
-
-
-
-
-
-
70
120
-
-
-
-
-
TCY-65
TCL-18
TCY-50
-
-
-
-
TCH-20
30
30
80
-
-
-
-
50
0
50
-
-
-
10
0
45
TCY-50
TCY-10
0
10
15
-
-
50
50
55
50
90
-
-
-
69
90
35
50
-
-
-
-
120
80
70
30
-
-
-
50
50
45
-
-
-
-
-
-
-
-
70
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
民
最大
82C237-12
民
最大
单位
4-166
