HT27C020
输出（T
CE
） 。数据可在输出
(t
OE
） OE的下降沿后，假设
CE一直偏低和地址已
稳定至少吨
加
-t
OE
.
待机模式
OE作出对READ共同连接
线从系统控制总线。这保证
所有选择的存储设备都在其
低功耗待机模式，而输出
销仅有源当数据从一个期望的
特定的存储设备。
系统注意事项
该HT27C020具有CMOS待机模式，
减少了10的最大电流VCC
A.它
是摆在CMOS待机时， CE是
V
CC
±
0.3V 。该HT27C020也有一个与TTL
待机模式这减小了最大
VCC电流1.0毫安。它被放置在与TTL
待机时， CE是在V
IH
。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，
两行的控制功能被设置为允许
为：
低内存功耗
保证输出的总线争用会不会
发生
因此建议的CE被解码并用于
作为主设备的选择功能，而
操作模式真值表
在主备之间的切换
条件下，瞬态电流峰值亲
duced片上的上升沿和下降沿
启用。这些瞬态电流的大小
租金峰是依赖于输出电容
该装置的tance加载。至少，一个
0.1
F的陶瓷电容器（高频率，低
固有电感）应该在每个使用
VCC和VPP之间的设备，以尽量减少转录
过性的影响。此外，克服了电压
引起的电感效应年龄下降
印刷电路板迹线的EPROM阵列，
a 4.7
F大容量电解电容应该是
使用VCC和VPP的每个DE- 8
恶习。电容器的位置应
接近的地方，将电源连接到
的阵列。
所有的操作模式示出的表以下中。
模式
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
产品禁止
制造商代码（ 3 ）
设备类型代码（ 3 ）
注： （ 1 ）V
H
= 12.0V
±
0.5V
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±
0.3V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
PGM
X (2)
X
X
X
V
IL
V
IH
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
A1
X
X
X
X
X
X
X
V
IH
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
H
(1)
V
H
(1)
VPP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
产量
DOUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
1C
02
（ 2 ） X =要么V
IH
或V
IL
（ 3 ）对于制造商代码及设备代码， A1 = V
IH
当A1 = V
IL
，两者的代码将读取7F
7
5月10日99
