数据表号PD60139J
IR2105
半桥驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定
5V施密特触发输入逻辑
跨导预防逻辑
内部设置死区时间
高侧输出的同相输入
匹配的传播延迟为两个通道
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
死区时间（典型值）。
600V最大。
130毫安/ 270毫安
10 - 20V
680 & 150纳秒
520纳秒
套餐
描述
该IR2105是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖性高，
低侧参考输出通道。所有权
HVIC和锁存免疫CMOS技术，恩
能够坚固耐用的单片式结构。逻辑
输入与标准CMOS或LSTTL兼容
输出。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级，最低驱动
跨导。浮置沟道可以用于
以驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT
它工作于10偏高配置
到600伏。
8引脚PDIP
8引脚SOIC
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
V
B
HO
V
S
TO
负载
IN
COM
LO
