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临时数据表号PD 6.069A
充分保护DMOS电源开关
特点
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s
s
IRSF3031
50 V
200 m
1.8 A
165
o
C
200兆焦耳
极为坚固，适用于恶劣的工作环境
过温保护
过电流保护
活性的漏 - 源钳位
ESD保护
兼容标准功率MOSFET
低操作电流输入
整体结构
双置位/复位门限输入
VDS （钳）
RDS （ ON）
我DS （ SD ）
T J （ SD ）
EAS
应用
s
s
描述
该IRSF3031是一个三端单片智能功率MOSFET导
场效应管与内置的短路，过温， ESD和过电压
保护和双置位/复位门限输入。
芯片上的保护电路闭锁的情况下，功率MOSFET
漏电流超过4A （典型值）或结温EX-
ceeds 165 ° C（典型值） ，并保持它关闭，直至输入电压驱动下
复位阈值电压。的漏极 - 源极电压是积极
钳位在55V （典型值）之前，功率MOSFET的雪崩，
因此，在关断感性负载提高其性能。
输入要求很低（ 100μA典型值），这使得
IRSF3031与大多数现有的设计基于标准兼容
功率MOSFET。
电磁驱动器
直流电机驱动器
可用的软件包
IRSF3031
(TO-220AB)
IRSF3031L
(SOT-223)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。 （T
c
= 25°C ，除非
另有规定编）
最小最大
VDS ，最大
输入电压，最大
IDS
Pd
E上
Vesd1
Vesd2
T
JOP
T
英镑
T
L
连续漏极至源极电压
连续输入电压
连续漏电流
功耗
松开单脉冲电感能量
静电放电电压（人体模型）
静电放电电压（机器型号）
工作结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
0
-40
-40
50
8
自我限制
单位
V
测试条件
30
200
4000
1000
150
150
300
W
mJ
V
Tc
≤
25°C
1000pF的。 1.5kΩ上
200pF的， 0Ω
°C
TO ORDER
