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临时数据表号PD 6.068B
充分保护功率MOSFET开关
特点
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IRSF3021
50 V
200 m
3.0 A
165
o
C
200兆焦耳
控压摆率降低了EMI
过温保护，自动重启
线性电流限制保护
活性的漏 - 源钳位
ESD保护
兼容标准功率MOSFET
低操作电流输入
整体结构
逻辑电平输入阈值
VDS （钳）
RDS （ ON）
我LIM
T J （ SD ）
EAS
应用
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描述
该IRSF3021灯和直流电动机驱动器被完全保护3
终端单片智能功率MOSFET ，具有电流
限制，过温保护，栅极至源极的ESD保护
和栅极 - 漏极钳位用于过电压保护。
芯片上的保护电路限制漏极电流的导通状态。
超温电路关断功率MOSFET时
结点温度超过165℃。该设备重新启动automati-
美云一旦冷却到低于复位温度。
该IRSF3021是专门为需要驱动负载设计
过载保护和浪涌电流控制，同时在自动操作
动机和工业环境。目标应用包括：
阻性负载，如灯或容性负载，如安全气囊点火装置
直流电机驱动器。
客舱照明
安全气囊系统
可编程逻辑控制器
直流电机驱动
可用的软件包
IRSF3021
(TO-220AB)
IRSF3021L
(SOT-223)
IRSF3021框图
漏
输入
来源
TO ORDER
