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数据表No.PD 6.039B
IRSF3011
充分保护功率MOSFET开关
特点
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极为坚固，适用于恶劣的工作环境
过温保护
过电流保护
活性的漏 - 源钳位
ESD保护
兼容标准功率MOSFET
低操作电流输入
整体结构
V
DS （钳）
R
DS （ ON）
I
DS （ SD）
T
J（下标清）
E
AS
应用
50V
200m
5A
155°C
200mJ
描述
该IRSF3011是一个三端单片智能功率MOSFET
具有内置的短路，过温， ESD和过电压亲
tections 。
芯片上的保护电路闭锁的情况下，功率MOSFET
漏电流超过7A或结点温度超过165 ℃的
而直到输入为低电平保持它关闭。的漏极 - 源极电压
积极钳位在55V （典型值） ，功率雪崩前
MOSFET的关断与感性中从而改善其性能
负载。
输入电流的要求是非常低的（ 300μA ），其使得
IRSF3011与大多数现有的设计基于标准兼容
功率MOSFET。
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电磁驱动器
直流电机驱动器
可用的软件包
IRSF3011
(TO-220AB)
IRSF3011L
(SOT-223)
IRSF3011框图
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