RHRG3040CC ， RHRG3060CC
典型性能曲线
50
T
C
= 25
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T，恢复时间（纳秒）
T，恢复时间（纳秒）
40
TRR
（续）
100
T
C
= 100
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
80
30
60
TRR
20
ta
40
ta
10
tb
20
tb
0
1
10
I
F
，正向电流（ A）
30
0
1
10
I
F
，正向电流（ A）
30
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图4吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
T
C
= 175
o
C，的dI
F
/ DT = 200A / μs的
125
T，恢复时间（纳秒）
100
75
ta
tb
25
0
1
10
I
F
，正向电流（ A）
30
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
150
30
25
DC
20
SQ 。 WAVE
15
TRR
50
10
5
0
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图5吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图6.电流降额曲线
150
C
J
，结电容（pF ）
125
100
75
50
25
0
0
50
100
150
200
V
R
，反向电压（V）的
图7.结电容VS反向电压
2002仙童半导体公司
RHRG3040CC ， RHRG3060CC版本B
