HI- 506A ， HI- 507A ， HI- 508A ， HI- 509A
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
REF
PIN =打开; V
AH
（逻辑高电平） = 4V ; V
AL
（逻辑低电平） = 0.8V ，
除非另有规定ED 。对于测试条件，参考测试电路部分
（续）
TEST
条件
V
REF
= +10V
V
REF
= +10V
温度
(
o
C)
25
25
-2, -8
民
-
6.0
典型值
-
-
最大
0.8
-
民
-
6.0
-5, -7
典型值
-
-
最大
0.8
-
单位
V
V
参数
MOS驱动器，V
AL
HI- 506A / HI- 507A
MOS驱动器，V
AH
HI- 506A / HI- 507A
模拟信道特性
模拟信号范围，V
IN
导通电阻，R
ON
注2
注2 ， 3
满
25
满
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
1.5
0.03
-
0.1
-
-
-
-
4.0
-
0.1
-
-
-
-
-
+15
1.5
1.8
-
50
-
300
200
200
100
-
2.0
-
300
200
200
100
50
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
1.8
0.03
-
0.1
-
-
-
-
4.0
-
0.1
-
-
-
-
-
+15
1.8
2.0
-
50
-
300
200
200
100
-
-
-
300
200
200
100
50
V
k
k
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
关闭输入漏电流，I
S（ OFF）
注2 ， 4
25
满
关闭输出漏电流，I
D（关闭）
HI-506A
HI-507A
HI-508A
HI-509A
I
D（关闭）
具有输入过压的应用
注2 ， 4
25
满
满
满
满
注5
25
满
在信道泄漏电流，I
D（上）
HI-506A
HI-507A
HI-508A
HI-509A
差分关闭输出漏电流，I
差异
,
（ HI - 507A ， HI- 509A专用）
电源特性
电流， I +
目前， I-
功耗，P
D
注意事项：
注2 ， 4
25
满
满
满
满
满
注2,8
注2,8
满
满
满
-
-
-
0.5
0.02
7.5
2.0
1.0
-
-
-
-
0.5
0.02
7.5
2.0
1.0
-
mA
mA
mW
2. 100 ％测试短跑8.泄漏电流不-55测试
o
C.
3. V
OUT
=
±10V,
I
OUT
= +100A.
4. 10nA的是在生产测试环境中的高速测量的实际下限。
5.模拟过电压=
±33V.
6.数字输入漏电流主要是由于钳位二极管（见示意图） 。典型的泄漏小于1nA的在25
o
C.
7. V
EN
= 0.8V ，R
L
= 1K ，C
L
= 15pF的，V
S
= 7V
RMS
中，f = 100kHz的。
8. V
EN
, V
A
= 0V或4V 。
9.从DTL / TTL电路驱动， 1kΩ的上拉电阻到+ 5V电源推荐。
8
