数据表
MOS场效应
2SJ621
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该2SJ621是，它们可以直接被驱动的开关装置
以1.8 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色
切换特性，并适合于应用程序，例如
随着便携式机器的电源开关等。
2.8 ±0.2
封装图（单位：mm ）
0.4
+0.1
–0.05
0.65
–0.15
+0.1
0.16
+0.1
–0.06
3
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 44亩MAX 。 （V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.0 A)
R
DS(on)2
= 56 mΩ以下。 （V
GS
= -3.0 V，I
D
= –2.0 A)
R
DS(on)3
= 62 mΩ以下。 （V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.0 A)
R
DS(on)4
= 105 mΩ以下。 （V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1.5 A)
1.5
0-0.1
1
2
0.95
0.95
0.65
为0.91.1
1.9
2.9 ±0.2
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
订购信息
产品型号
2SJ621
包
SC- 96 （小型模具薄型）
标记： XG
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
Note2
–12
m8.0
m3.5
m12
0.2
1.25
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
等效电路
漏
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
安装在FR- 4电路板，T
≤
5秒。
备注
P
T2
T
ch
T
英镑
门
门
保护
二极管
体
二极管
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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文档编号
D15634EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
