飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
适合于表面安装。运用
“沟”技术设备
具有非常低的导通电阻
并拥有完整的齐纳二极管捐赠
ESD保护高达2kV的。这是
旨在用于直流 - 直流
转换器和通用
开关应用。
PHB80N06T
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
1
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
75
178
175
14
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
符号
d
g
2
1
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
1
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
20
75
56
240
178
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压，所有引脚
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
由包从75A 80A的理论值电流的限制。
1997年12月
1
启1.100
