HB54A5129F1-A75B/B75B/10B
PD系列矩阵*
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
函数来描述
通过模块使用的字节数
生产厂家
串行PD的总字节数
设备
内存类型
行地址数
列地址的数
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块数据宽度的延续
Bit7
1
0
0
0
0
0
0
0
Bit6
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
位5位4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
Bit3
0
1
0
1
1
0
1
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0
0
0
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0
0
0
0
0
1
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1
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0
0
0
0
0
0
0
0
Bit2
0
0
1
1
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0
0
0
1
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1
0
1
0
0
0
1
1
0
1
1
1
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0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
位1位0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
十六进制值
80
08
07
0D
0B
01
48
00
04
70
75
80
75
80
02
82
04
04
01
0E
04
0C
01
02
26
C0
75
A0
75
80
00
00
50
评论
128
256字节
DDR SDRAM
13
11
1
72位
0 (+)
SSTL 2.5V
CL = 2.5 *
5
该组件0的电压电平接口
DDR SDRAM的周期时间， CL = X
-A75B
-B75B
-10B
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
10
从时钟SDRAM存取（ TAC）
-A75B/B75B
-10B
0.75ns*
5
0.8ns*
5
ECC
7.8 s
自刷新
×
4
×
4
1 CLK
2, 4, 8
4
2/2.5
0
1
注册
± 0.2V
CL = 2 *
5
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性：
最小时钟延迟背到背
接入列
SDRAM器件的属性：
突发长度支持
SDRAM器件属性：数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性：
/ CAS延时
SDRAM器件的属性：
/ CS延时
SDRAM器件的属性：
/ WE等待时间
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性：一般
最小时钟周期时间在
CLX - 0.5
-A75B
-B75B/10B
24
从最大数据存取时间（ TAC）
0
时钟在CLX - 0.5
-A75B/B75B
-10B
1
最小时钟周期时间在
0
CLX - 1
从最大数据存取时间（ TAC）
0
1 - 在CLX时钟
最小行预充电时间（TRP）
0
0.75ns*
5
0.8ns*
5
25
26
27
20ns
数据表E0090H40 （版本4.0 ）
5
