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多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402
数据表
表5 ： DC
操作摄像机
C
极特
(V
DD
= V
DDF
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
FL灰
SRAM
并发操作
写
FL灰
SRAM
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
输出低电压
输出高电压
2.2
V
DD
-0.2
0.4
0.7 V
DD
V
DD
-0.3
0.2
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
IL
/V
IH
，在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
马克斯，所有的DQ打开
20
20
45
25
20
30
1
1
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IL
， BES ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
WE＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IL
， BES ＃ = V
IH ，
OE ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
V
DD
=V
DD
马克斯， BEF ＃ = BES ＃ = V
IHC
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OL
= 1毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -500 μA ，V
DD
=V
DD
民
T5.1 557
和
V
DDS
= 2.7-3.3V)
表6 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
s
s
T6.0 557
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表7 ：C
APACITANCE
参数
C
I/O1
C
IN
1
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
24 pF的
12 pF的
T7.0 557
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 ：F
LASH
R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
结束
T
DR1
I
LTH1
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T8.0 557
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2002硅存储技术公司
S71209-02-000 4/02
557
8
