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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
写周期
（ CE ＃控制）
t
C
W
V
IH
An
V
IL
t
SU
(A)
t
SU
（ CE- WEH ）
t
REC
（WE）
V
IH
CE＃
V
IL
V
IH
WE＃
V
IL
T（ D- WEH ）
t
h
(D)
Dm
(D
IN
)
V
IH
V
IL
高阻
DATA INPUT稳定
OE＃ =“ H”电平
REG ＃ =“ H”电平
17.开关特性（属性）
读周期
（大= 0 55 ° C， VCC = 5V ± 5 ％ ，除非另有说明）
符号
参数
Tcrr
TA （ A）R
TA （ CE ）R
TA （ OE ）R
TDIS （ CE ）R
TDIS （ OE ）R
10 （ CE ）R
10 （ OE ）R
TV（ A）R
读周期时间
地址访问时间
卡启用访问时间
输出启用访问时间
输出禁止时间（ CE ＃ ）
输出禁止时间（从OE ＃ ）
输出使能时间（ CE ＃ ）
输出使能时间（ OE ＃ ）
地址更改后的数据有效时间
范围
分钟。马克斯。
300
300
300
150
100
100
5
5
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱
电
9/14
1999年4月修订版1.1
