飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
JC549B ; JC550B
JC549C ; JC550C
h
FE
直流电流增益
JC549 ; JC550
JC549B ; JC550B
JC549C ; JC550C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V;
参见图2和图3
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V;
参见图2和图3
分钟。
200
200
420
580
100
JC549 ; JC550
典型值。
150
270
290
520
90
200
700
900
660
2.5
11.5
马克斯。
15
5
100
800
450
800
250
600
700
770
4
4
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
1997年7月08
4
