MJD31 ，C MJD32 ，C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2
TJ = 25°C
1.6
IC = 0.3 A
1A
3A
电容（pF）
300
TJ = + 25°C
200
1.2
100
CEB
70
50
建行
0.8
0.4
0
1
2
5
10
20
50 100
IB ，基极电流（毫安）
200
500
1000
30
0.1
0.2 0.3
0.5
1
10
2 3
5
VR ，反向电压（伏）
20 30 40
图7.集电极饱和区
图8.电容
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图9.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
dc
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
曲线适用于低于额定VCEO
TC = 25°C单脉冲
TJ = 150℃
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
3
5 7 10
20 30
50 70 100 150
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
s
500
s
1毫秒
0.01
1.5 2
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图10的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; T C是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 9.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图10.活动区的安全工作区
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
