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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
删除恢复
当执行擦除恢复命令，块擦除将重新启动。擦除恢复操作实际上并没有恢复
擦除，但再次从头开始执行它。
当擦除挂起或删除恢复命令执行时，地址是无所谓的状态。
3.11
OTP操作
在NAND闪存阵列内存块被保留作为一次性可编程块内存区域。
对OTP块能被读出，编程和使用相同的操作，任何其他的NAND闪存阵列存储器块锁定。
OTP块不能被擦除。
OTP块完全保证是一个有效的块。
进入OTP座
该OTP块是从NAND闪存阵列的其余部分分别访问使用的的OTP访问命令来代替
闪存块地址（ FBA ） 。
退出OTP座
要退出OTP访问模式，一个冷，暖，可热，或NAND闪存核心进行复位操作。
在擦除操作退出OTP座
如果从OTP访问模式复位触发退出的擦除挂起操作，擦除过程中发生
程序可能会失败。因此，从OTP访问模式退出，不暂停擦除操作站，一个
“ NAND闪存内核复位”命令应该发出。
该OTP块分配页
OTP区是一个块大小（ 128KB + 4KB， 64页），并且被分成两个区域。在长达10页的用户区可作为OTP
存储区域中。在54页的制造商所在区域是由生产设备运送到用户之前编程。
OTP座页面分配信息
区域
用户
生产厂家
页面
0 9 （共10页）
10 63 （ 54页）
利用
指定为用户区
所使用的设备制造商
注） DDP和QDP产品，一个街区OTP是每个芯片提供。即2 OTP块DDP ，在QDP 4 OTP块
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