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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
2.8
2.8.1
注册
注册地址地图
本规范第2.8节提供了有关OneNAND1G寄存器的信息。
这张图描述了寄存器地址，注册名称，注册描述和主机访问。
地址
（词序）
F000h
F001h
F002h
F003h
F004h
F005h
F006h
F007h~F0FFh
F100h
F101h
F102h
F103h
F104h
F105h
F106h
F107h
F108h~F1FFh
地址
（字节顺序）
1E000h
1E002h
1E004h
1E006h
1E008h
1E00Ah
1E00Ch
1E00Eh~1E1FEh
1E200h
1E202h
1E204h
1E206h
1E208h
1E20Ah
1E20Ch
1E20Eh
1E210h~1E3FEh
主持人
ACCESS
R
R
R
R
R
R
R
-
读/写
读/写
读/写
读/写
-
-
-
读/写
-
设备Identi科幻阳离子
不适用
数据缓冲区大小
引导缓冲区大小
数据的/ boot缓冲区量
有关技术信息
保留给用户
芯片地址选择的NAND
核心DDP &块地址
芯片地址为DDP选择BufferRAM的
目标块地址复制回收计划
目标页&部门地址复制
回收计划
不适用
不适用
不适用
NAND闪存页&扇区地址
保留给用户
用于从所述页面数据传递至/缓冲器数
存储器和起始缓冲区地址
的含义与哪个缓冲启动和多少
缓冲器以用于数据传输
保留给用户
预留的供应商特定用途
主机控制和存储器操作命令
存储器和主机接口配置
不适用
保留给用户
预留的供应商特定用途
控制器状态和内存的运算结果
内存命令完成中断状态
保留给用户
在写保护模式启动内存块的地址
名字
制造商ID
器件ID
版本号
数据缓冲区大小
引导缓冲区大小
量
缓冲器
技术
版权所有
起始地址1
起始地址2
起始地址3
起始地址4
起始地址5
起始地址6
起始地址7
起始地址8
版权所有
描述
制造商标识
F200h
1E400h
开始缓冲
读/写
F201h~F207h
F208h~F21Fh
F220h
F221h
F222h
F223h~F22Fh
F230h~F23Fh
F240h
F241h
F242h~F24Bh
F24Ch
1E402h~1E40Eh
1E410h~1E43Eh
1E440h
1E442h
1E444h
1E446h~1E45Eh
1E460h~1E47Eh
1E480h
1E482h
1E484h~1E496h
1E498h
版权所有
版权所有
命令
系统
CON组fi guration 1
系统
CON组fi guration 2
版权所有
版权所有
控制器状态
打断
版权所有
开始
块地址
-
-
读/写
R，R / W的
-
-
-
R
读/写
-
读/写
41
