MJE3055T
MJE3055T
通用和开关应用
直流电流增益指定给我
C
=10A
高电流增益带宽积：F
T
= 2MHz的（最小）。
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
70
60
5
10
6
75
0.6
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
测试条件
I
C
=的200mA，我
B
= 0
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 70V, V
BE
（关） = -1.5V
V
CE
= 70V, V
BE
（关） = -1.5V
@ T
C
= 150°C
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 4A
V
CE
= 4V ，我
C
= 10A
I
C
= 4A ，我
B
= 0.4A
I
C
= 10A ，我
B
= 3.3A
V
CE
= 4V ，我
C
= 4A
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
2
20
5
分钟。
60
马克斯。
700
1
5
5
100
1.1
8
1.8
V
V
V
兆赫
单位
V
A
mA
mA
mA
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
电流增益带宽积
*脉冲测试： PW≤300μs ，值班cycle≤2 ％脉冲
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
