MJE3055T
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1000
10
V
CE
= 2V
I
C
= 10I
B
h
FE
，直流电流增益
100
1
V
BE
（SAT）
10
0.1
V
CE
（SAT）
1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
100
105
90
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
75
10
100
0
s
DC
1毫秒
5毫秒
60
45
1
30
15
0.1
1
10
100
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
锝[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
