MJE700/701/702/703
MJE700/701/702/703
整体结构采用内置基线
发射极电阻
高直流电流增益：H
FE
= 750 （分钟） @我
C
= -1.5和-2.0A DC
补到MJE800 / 801 /八百〇三分之八百〇二
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
PNP外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
对称
BOL
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
价值
- 60
- 80
- 60
- 80
-5
-4
- 0.1
40
150
- 55 ~ 150
单位
s
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
R1
R2
E
等效电路
C
B
集电极 - 发射极电压： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
R
1
10
k
R
2
0.6
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
集电极截止电流
： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
集电极截止电流
测试条件
I
C
= - 10毫安，我
B
= 0
分钟。
-60
-80
-100
-100
-100
-500
-2
750
750
100
-2.5
-2.8
-3
-1.2
-2.5
-3
V
V
V
V
V
V
马克斯。
单位
V
V
A
A
A
A
mA
I
首席执行官
V
CE
= - 60V ，我
B
= 0
V
CE
= - 80V ，我
B
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
T
C
= 100°C
V
BE
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 1.5A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 4A
I
C
= - 1.5A ，我
B
= - 30毫安
I
C
= - 2A ，我
B
= - 40毫安
I
C
= - 4A ，我
B
= - 40毫安
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 1.5A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 4A
I
CBO
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
： MJE700 / 702
： MJE701 / 703
：所有器件
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
： MJE700 / 702
： MJE701 / 703
：所有器件
基射极电压上
： MJE700 / 702
： MJE701 / 703
：所有器件
V
BE
（上）
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
