MJE800/801/802/803
MJE800/801/802/803
整体结构采用内置基线
发射极电阻
高直流电流增益：H
FE
= 750 （分钟） @我
C
= 1.5和2.0A的DC
补到MJE700 / 701 / 703分之702
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
NPN外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
： MJE800 / 801
： MJE802 / 803
： MJE800 / 801
： MJE802 / 803
价值
60
80
60
80
5
4
0.1
40
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
R1
R2
E
B
等效电路
C
R
1
10
k
R
2
0.6
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： MJE800 / 801
： MJE802 / 803
集电极截止电流
： MJE800 / 801
： MJE802 / 803
集电极截止电流
测试条件
I
C
= 50mA时我
B
= 0
分钟。
60
80
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 80V ，我
B
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
T
C
= 100°C
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 1.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 30毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
I
C
= 4A ，我
B
= 40毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 1.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
750
750
100
2.5
2.8
3
2.5
2.5
3
V
V
V
V
V
V
100
100
100
500
2
马克斯。
单位
V
V
A
A
A
A
mA
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
： MJE800 / 802
： MJE801 / 803
：所有器件
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
： MJE800 / 802
： MJE801 / 803
：所有器件
基射极电压上
： MJE800 / 802
： MJE801 / 803
：所有器件
V
BE
（上）
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
