HGTP12N60B3 ， HGT1S12N60B3S
典型性能曲线
55
R
G
= 25Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
t
dI
，导通延迟时间（纳秒）
50
45
40
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
35
30
25
20
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
t
rI
，上升时间（ NS ）
125
100
75
50
25
0
5
10
15
20
25
30
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
除非另有规定编
（续）
150
R
G
= 25Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
T
J
= 25
o
C，T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
T
J
= 25
o
C和T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
5
10
15
20
25
30
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
图10.导通上升时间与集电极到发射极
当前
300
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
275
140
R
G
= 25Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
130
t
fI
，下降时间（ NS ）
120
110
100
90
80
70
60
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V或15V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
R
G
= 25Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 480V
250
225
200
175
150
125
100
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比<0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= 25
o
C
T
C
= -55
o
C
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 25, T
C
= 25
o
C
12
V
CE
= 600V
9
T
C
= 150
o
C
6
V
CE
= 400V
V
CE
= 200V
3
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.门充电波形
5
