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3.4 EEPROM
在640个字节的EEPROM的最初位于$ 0D80复位后，假定EEPROM被在启用
通过在CONFIG寄存器中的EEON位存储器映射。 EEPROM可以被放置在任何4K字节bound-
元（$ xD80 ）通过写入适当的值给INIT2寄存器。注意， EEPROM可被映射，以便
它包含的向量空间。请参阅
图4中。
该MC68HC11K0 ， MC68HC11K3 ， MC68L11K0 ，
和MC68L11K3没有EEPROM 。参阅
订购信息表。
编程和擦除的EEPROM由PPROG寄存器控制，并取决于
数据块保护（ BPROT ）寄存器的值。一个片上电荷泵发展所需的高电压
编程和擦除。当电子时钟的频率小于1兆赫，选择内部
时钟源选项寄存器中写入一个的CSEL位驱动EEPROM电荷泵。
CONFIG寄存器由一个EEPROM字节。虽然该字节不包括在640
字节型EEPROM阵列，编程CONFIG寄存器需要相同的程序，在任何字节
的阵列。位在CONFIG寄存器的擦除状态为逻辑1 。请参见CONFIG寄存器
说明下面这一节。
一个字节EEPROM的擦除状态为$ FF （全1） 。
要清除EEPROM ，确保BPROT寄存器的适当位被清零，然后完成
使用PPROG寄存器以下步骤：
1.将ERASE ， EELAT ，以及相应的字节和ROW位PPROG寄存器。
2.写入任何数据相应的EEPROM地址。行擦除只要求写
该行中的任何位置。批量擦除被写入阵列中的任何位置进行。
3.设置ERASE ， EELAT ， EEPGM ，并在PPROG寄存器相应的字节和ROW位。
4.延时为10毫秒或以上，适当。
5.清除在PPROG的EEPGM位关闭编程电压。
6.清除PPROG寄存器重新配置EEPROM的地址和数据总线进行正常OP-
累加器。
编程EEPROM ，确保BPROT寄存器的适当位被清除，并使用
PPROG注册完成以下步骤：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
坐落在PPROG寄存器中的EELAT位。
将数据写入到所希望的地址。
在PPROG设置EEPGM位。
延迟10ms以上，作为合适。
清除PPROG的EEPGM位关闭的编程电压。
清除PPROG注册，重新配置EEPROM的地址和数据总线进行正常OP-
累加器。
小心
由于可以执行其它操作，而EEPROM编程/
擦除操作过程中，这是常见的动作开始，然后返回
到主程序，直至10毫秒就完成了。当EELAT位被设置在所述
在开始编程/擦除操作时， EEPROM是通过电子删除
从存储器映射;因此，它不是在编程/擦除周期访问。
必须小心，以确保EEPROM的资源将不被需要的任何
在10毫秒的程序例程代码/擦除时间。
PPROG
-EEPROM编程控制
第7位
ODD
RESET ：
0
6
连
0
5
驴皮
0
4
字节
0
3
ROW
0
2
抹去
0
1
EELAT
0
$003B
位0
EEPGM
0
摩托罗拉
22
M68HC11 K系列
MC6HC11KTS/D
