ST7263
7.2热特性
平均芯片结温度T
J
在DE-
grees摄氏度，可以利用下述计算
ING公式：
T
J
= T
A
+ (P
D
x
θJ
A
) (1)*
因此：
其中：
– T
A
是在环境温度
°C,
–
θJ
A
是包结至环境热
性，在
° C / W ，
– P
D
是P的总和
INT
和P
I / O
,
– P
INT
是I的产物
DD和
V
DD
表示在
瓦。这是芯片内部电源
– P
I / O
代表功耗上输入
输出引脚;用户确定。
对于大多数应用P
I / O
<P
INT
并且可以是网元
glected 。 P
I / O
可以显著如果该设备是CON-
想通驱动达林顿基地或下沉的LED负载。
表25.热特性
符号
θJ
A
包
SO34
PSDIP32
典型的价值
70
50
单位
° C / W
P之间的近似关系
D
和T
J
（如果P
I / O
被忽略），由下式给出：
P
D
= K ÷ （T
J
+ 273°C) (2)
K = P
D
X （T
A
+ 273°C) +
θJ
A
X P
D2
(3)
其中：
- K为常数的特定部分，其可以
从等式（3）通过测量来确定
P
D
（在平衡时）为一已知
A.
使用这种val-
UE的K ， P的值
D
和T
J
可以得到
通过解等式（1）和（2）反复进行任何
的T值
A
.
(*):
最大的芯片功耗可以直接从T获得
j
（最大） ，
θ
JA
和T
A
参数。
94/109
