飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK451-100A/B
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料封套。
该装置适用于在使用中
开关电源
（SMPS） ，电机控制，焊接
的DC / DC和AC / DC转换器，以及
在通用开关
应用程序。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
BUK451
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
马克斯。
-100A
100
3.0
40
175
0.85
马克斯。
-100B
100
3.0
40
175
1.1
单位
V
A
W
C
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
-
-100A
3.0
3.0
12
40
175
175
马克斯。
100
100
30
-100B
3.0
3.0
12
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
C
