K4N26323AE-GC
突发读取与自动预充电
128M GDDR2 SDRAM
如果A8是高一读命令发出时，读取带有自动预充电功能时。该GDDR2
SDRAM中启动一个自动预充电操作在上升边缘，它是（ AL + BL / 2）周期之后从读出与自动
预充电命令，当tRAS的（分钟）的关系。如果tRAS的（分钟）不满足在边缘处，自动预起点
充电操作将被延迟，直到tRAS的（最小）是满意的。新的银行活动的命令，可以发出相同
银行如果满足以下两个条件同时被满足。
（1）在RAS预充电时间（ tRP）内已经被满足的自动预充电开始的时钟。
（2）从以前的银行活化的RAS周期时间（ tRC的）已被满足。
当发出读与自动预充电命令，新命令（读，读与自动预充电或预
负责同一家银行），可以断言TCCD = 2个时钟周期后。
突发读取与自动预充电其次是银行相同的激活：
RL = 8 （ AL = 1 ， CL = 7 ，内部T
RP
= 8)
0
3
CK ， CK
A8 = 1
邮政CAS
读了
7
8
9
10
11
12
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
银行
激活
NOP
自动预充电开始
的DQ
> = T
RP
RL = 8
DQ的
DOUTA
0
DOUTA
1
DOUTA
2
DOUTA
3
突发读取与自动预充电（ AL = 0 ）
断言
命令
读
阅读与自动预充电
活跃
预充电
对于同一家银行
1
违法
违法
违法
违法
2
法律
法律
违法
法律
3
违法
违法
违法
违法
4
违法
违法
违法
违法
1
违法
违法
法律
法律
对于不同的银行
2
法律
法律
法律
法律
3
法律
法律
法律
法律
4
法律
法律
法律
法律
*当AL （附加延迟）为1时，可以在仅3日周期发出同一银行的预充电命令及其它的是相同的
AL=0.
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修订版1.7 （ 2003年1月）
