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K5A3x40YT(B)C
SRAM时序图
初步
MCP内存
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS1
S
= OE = V
IL
， CS2
S
= WE = V
IH
， UB和/或LB = V
IL
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO1
t
OH
CS1
S
CS2
S
t
CO2
t
HZ
t
BA
t
BHZ
UB ， LB
OE
t
OLZ
t
BLZ
数据输出
高-Z
t
OE
t
OHZ
数据有效
t
LZ
笔记
（读周期）
1.
t
HZ
和
t
OHZ
被定义为时间，让输出达到开路条件和没有被引用到输出电压
的水平。
2.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZ
（最大）小于
t
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到设备
互联。
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修订版0.0
2002年11月
