K5A3x40YT(B)C

文档标题

多芯片封装存储器

初步

MCP内存

32M位（ 4Mx8 / 2Mx16 ）双行NOR快闪记忆体/ 4M （ 512Kx8 / 256Kx16 ）全CMOS SRAM

修订历史

修订历史号

0.0

最初的草案

草案日期

2002年11月6日

备注

初步

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

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修订版0.0

2002年11月