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K5A3x40YT(B)C
SRAM交流特性
参数表
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
民
t
RC
t
AA
t
CO1
, t
CO2
t
OE
t
BA
t
LZ1
, t
LZ2
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ1
, t
HZ2
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
55
45
0
45
45
40
0
0
20
0
5
初步
MCP内存
55ns
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SRAM数据保持特性
项
VCC
S
数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS1
S
-vcc
S
-0.2V
VCC
S
= 3.0V ， CS1
S
-vcc
S
-0.2V
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
TRC
典型值
-
0.5
-
-
最大
3.3
10
-
-
单位
V
A
ns
1. CS1
S
-vcc
S
-0.2V ， CS2
S
-vcc
S
-0.2V(CS1
S
控制）或CS2
S
≤0.2V(CS2
S
控制）
2.典型值是在Vcc = 3.0V测量， TA = 25 ° C，测试不是100 ％ 。
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修订版0.0
2002年11月
