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解锁绕道
初步
MCP内存
Flash存储器提供解锁旁路模式，以节省其方案的时间。该模式由解锁旁路命令调用
序列。不同于包含四个总线周期的标准程序命令序列，解锁绕道程序命令
序列只包含两个总线周期。
解锁旁路模式时通过发出它是由三个总线周期解锁旁路命令序列。令状
设备上两个解锁周期之后是含有解锁旁路命令（ 20H）的第三周期。一旦装置处于解锁
旁路模式时，解锁旁路程序命令序列是必要的，此模式来编程。解锁绕道程序
命令序列是由仅2个总线周期;写解锁旁路程序命令（ A0H ）之后是亲
克的地址和数据。这个命令序列是唯一有效的一个用于在解锁旁路模式对器件编程。
解锁旁路复位命令序列是唯一有效的命令序列，以退出解锁旁路模式。解锁
旁路复位命令序列由两个总线周期。第一个周期必须包含数据（ 90H ） 。在第二个周期中包含
唯一的数据（ 00H ） 。然后，设备返回到读模式
芯片擦除
要擦除芯片是写1的融入到整个存储阵列通过执行内部擦除程序。芯片擦除需要6条公交
次写的命令序列。擦除设置命令后，前两个"unlock"周期写入。然后，有两种
之前写了芯片擦除命令的写周期。内部擦除程序自动预先计划和验证
整个内存为之前删除所有零数据模式。自动擦除开始的最后一个WE或CE的上升沿
F
脉冲命令序列和终止时， DQ7是"1".该设备返回到读取模式后。
WE
A20
A0(x16)/
A20
A-1(x8)
DQ15-DQ0
555H/
AAAH
AAH
2AAH/
555H
55H
555H/
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH/
555H
55H
555H/
AAAH
10H
芯片擦除
开始
RY / BY
图5.芯片擦除命令序列
块擦除
要擦除的块是写1的成所需的内存块通过执行内部擦除程序。块擦除需要六个
总线周期写在表5中示出在第一个2 "unlock"周期的指令序列中，擦除建立命令（ 80H）是
写在第三个周期。然后有两个"unlock"周期之后的块擦除命令。内部擦除程序
自动预先计划和验证之前删除它整个内存。块地址被锁存WE的下降沿
或CE
F
，而块擦除命令锁存WE或CE的上升沿
F
.
多个块可以按顺序写在图6的六个总线周期操作后的最后一个循环完成对被擦除的
块擦除，另外的块地址和块擦除命令（ 30H ）可以写成进行多块擦除。一个50微秒
（典型值） "time所需的块擦除命令之间window"写道。块擦除命令必须被写入内
50微秒"time window" ，否则，块擦除命令将被忽略。在50微秒"time window"是复位时的下降沿
在我们发生"time window"的50微秒内锁定的块擦除命令。在"time window"的50微秒，任何命令
比块擦除或删除其它挂起命令写入设备将重置设备来读取模式。经过50我们
"time window" ，块擦除命令将启动内部擦除程序删除所选的块。任何块擦除
地址和命令之后超过"time window"可能或可能不被接受。没有其他命令将被识别
除了擦除挂起命令。
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修订版0.0
2002年11月
