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DDR SDRAM 512MB的B-模（ X4，X8 ， X16 ）
成分说明
17. CK & CK摆率
≥
1.0 V / ns的
DDR SDRAM
18.这些参数保证设备定时，但它们不必在每台设备上进行测试。它们可以通过保证
设备的设计或测试相关性。
19.压摆率测量VOH （ AC）和VOL （ AC）之间。
20.民（ TCL ， TCH）是指实际时钟低电平时间的更小，为顾客提供设备的实际时钟的时候（即本
值可以大于为TCL和总胆固醇）的最小规格界限.....例如， TCL和总胆固醇是的= 50％
时钟源，少半周期抖动由于干扰到（ tJIT （串扰） ）期间，少半周期抖动（ tJIT （ HP ） ）
时钟痕迹。
21. tQH = THP - TQHS ，其中：
THP =最小半个时钟周期对于任何给定的周期，由时钟高或低时钟（TCH ， TCL ）定义。 TQHS占1）
片上时钟电路的脉冲宽度失真;和2）的最坏情况的顶出的DQS在一个tansition接着最坏
壳体拉入上下一过渡，这两者都是，分别，由于数据引脚歪斜和输出图案效果的DQ的，和对
信道的输出驱动器的n沟道型的变化。
22. TDQSQ
包括数据引脚歪斜和输出模式的影响，并且向输出驱动器对任何给定周期的n沟道型变异的p沟道。
23. tDAL = （ tWR的/ TCK ） + （TRP / TCK ）
对于上述各方面的，如果不是已经整数，舍入到下一个最高的整数。例如：对于DDR266B在CL = 2.5，
TCK = 7.5ns tDAL = （15纳秒/ 7.5纳秒） +（ 20纳秒/ 7.5ns ）=（ 2） +（3）
tDAL = 5个时钟周期
修订版1.3月。 2005年
